کد خبر: ۶۷۹۱۸۱
تاریخ انتشار: ۲۷ مرداد ۱۳۹۹ - ۱۳:۰۱
شرکت Micron رونمایی کرد؛
شرکت Micron از فناوری‌های حافظه نسل بعد HBMnext و GDDR6X رونمایی کرد.
گروه IT: شرکت Micron از فناوری‌های حافظه نسل بعد HBMnext و GDDR6X رونمایی کرد. به گفته این شرکت کارت گرافیک انویدیا RTX 3090 از فناوری GDDR6X برخوردار خواهد بود و ۱۲ گیگابایت رم را ارائه می‌کند.
 
شرکت Micron فناوری‌های حافظه HBMnext و GDDR6X را معرفی کرد
به گزارش بولتن نیوز به نقل از دیجیاتو، به گزارش ExtremeTech، فناوری GDDR6X پیشرفت جزئی نسبت به GDDR6 داشته و پهنای باند ۹۱۲ گیگابایت-۱ ترابایت بر ثانیه را نسبت به پهنای باند تقریبی ۶۷۲-۷۶۸ گیگابایت بر ثانیه GDDR6 ارائه می‌کند.
 
شرکت Micron فناوری‌های حافظه HBMnext و GDDR6X را معرفی کرد
GDDR6X در حال حاضر حداکثر ظرفیت تراشه ۸ گیگابیت و پهنای باند ۲۱ گیگابیت بر ثانیه برای هر پین را به ارمغان آورده و در یک پیکربندی ۱۲ قطعه‌ای پهنای باند حافظه ۱ ترابایت بر ثانیه را ارائه امکان پذیر خواهد کرد. شرکت Micron قصد دارد سال ۲۰۲۱ از مدار مجتمع جدیدی با پهنای باند ۲۴ گیگابیت بر ثانیه و ظرفیت تراشه ۱۶ گیگابیت رونمایی کند که دستیابی به دو برابر VRAM بیشتر در پیکربندی یکسان را امکان پذیر خواهد کرد.
 
شرکت Micron فناوری‌های حافظه HBMnext و GDDR6X را معرفی کرد
آنطور که منبع یاد شده گزارش می‌کند، فناوری HBMnext شرکت Micron مشابه فناوری HBM2E است. این حافظه که تولید آن از تیر ماه امسال توسط شرکت SK Hynix آغاز شده ۱۶ گیگابایت رم و پهنای باند ۴۶۰ گیگابایت بر ثانیه را ارائه می‌کند. تردیدهایی در مورد تفاوت مصرف برق در این استانداردهای حافظه وجود داشت و آنطور که Micron می‌گوید HBM2 و HBM2E در مقایسه با GDDR6/GDDR6X برتری دارند.

Micron می‌گوید در فناوری HBMnext از استاندارد مؤسسه JEDEC پیروی خواهد کرد و حافظه‌های HBM2E/HBMnext تا پایان سال ۲۰۲۲ با پیکربندی استک ۴ سطحی (4Hi)/8 گیگابایت و پیکربندی استک ۸ سطحی (8Hi)/16 گیگابایت به بازار عرضه می‌شوند.

منبع: دیجیاتو
برچسب ها: Micron ، GDDR6X ، HBMnext

شما می توانید مطالب و تصاویر خود را به آدرس زیر ارسال فرمایید.

bultannews@gmail.com

نظر شما
نام:
ایمیل:
* نظر :
آخرین اخبار
پربازدید ها
پربحث ترین عناوین
پرطرفدارترین