گروه IT: روز گذشته سامسونگ از فناوری UFS 4.0 برای نسل جدید حافظهی داخلی رونمایی کرد که از نسل هفتم تراشههای حافظه V-NAND با یک کنترلر اختصاصی بهره میبرد. بر اساس اعلام سامسونگ، این فناوری سرعت خواندن و نوشتن متوالی را به ترتیب به ۴۲۰۰ و ۲۸۰۰ مگابایت در ثانیه میرساند.
به گزارش بولتن نیوز، همچنین در زمینهی مصرف انرژی برای خواندن متوالی، حدود ۴۶ درصد انرژی کمتری نسبت به نسل قبلی مصرف میکند. سامسونگ مدعی شده که در این نوع حافظهها، هر خط ارتباطی تا ۲۳.۲ گیگابیت در ثانیه را پشتیبانی میکند که دو برابر UFS 3.1 محسوب میشود. این مشخصه برای گوشیهای ۵G که باید از پهنای باند بالایی پشتیبانی کنند، اهمیت بسیار زیادی دارد. همچنین به لطف همین مشخصه، UFS 4.0 برای هدستهای واقعیت افزوده و مجازی و همچنین حوزهی اتومبیلها هم میتواند کاربردهای متنوعی داشته باشد.
گفته میشود حافظههای داخلی مبتنی بر این فناوری میتوانند تا ۱ ترابایت ظرفیت داشته باشند و به همین خاطر امیدواریم شمار گوشیهای مبتنی بر ۵۱۲ گیگابایت و ۱ ترابایت ظرفیت به طور قابل توجهی افزایش پیدا کند. سامسونگ اعلام کرده تولید انبوه این نوع حافظهها از سهماههی سوم ۲۰۲۲ آغاز میشود و این یعنی احتمالا اواخر سال جاری میلادی اولین گوشیهای مبتنی بر آن راهی بازار خواهند شد.
شما می توانید مطالب و تصاویر خود را به آدرس زیر ارسال فرمایید.
bultannews@gmail.com